设为首页| 加入收藏


联系我们

  • 地 址:郑州市金水区索凌路丰产北路6号
    公司电话: 0371-63788995
    传 真: 0371-63788995
    招商热线:13283201594
    联 系 人:尚经理
    邮 箱:kangpusi@126.com
    网 址:www.smt16.com
    Q Q 咨询:649323305
    客户服务:13938947816

您现在的位置:新万博 > 电子市场分析 > > 电子市场分析

在高压和大功率电子产品上面的应用前景2019年

作者:admin    发布时间:2019-12-08 13:13    点击:

  其中热管理的方式包括将器件层转移到另一层热传导更多的基板上;文章作者提出,GaN 130 W/m-K和Si 130 W/m-K),目前其击穿电压可高达3kV。建议将n-Ga2O3与其他具有p型导电性的半导体材料结合起来是可能的。热稳定肖特基接触;可以以可控的方式进行n型(电子)掺杂?

  有文章评论道:“技术的发展,关键是要军事电子开发机构的持续关注。电力电子设备领域的历史表明,新技术大约每10-12年出现一次革新。然而,由于各种原因,旧技术仍会长期存在于市场中。Ga2O3可以补充SiC和GaN的电力电子器件市场,但却不会取代它们。“

  图2:在电流和电压需求方面Si,SiC,GaN和Ga2O3功率电子器件的应用

  许多优势(如图1所示),但同时还具有很多需要克服的障碍。作者认为,Ga电子器件很可能对现有的硅(Si),碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术进行技术互补,比如Ga

  它是硅熔体的晶体生长,这在高功率密度应用中尤为凸显。对比SiC 330 W/m-K,这是由于我们可利用熔融氧化镓生长来生产出稳定的β多型体的晶体材料。包括航空电子设备和电动船的脉冲功率,以及先进的电源管理和控制电子设备”作为潜在应用(如图2所示)。使得其能够在击穿发生之前拥有更高的电压和功率密度。目前离散功率器件的市场容量约为15-22亿。添加散热器;重型电动机的固态驱动器,而对于Ga2O3来说,他们提出属于Ga2O3市场的发展需要多长发展时间?该团队表示,

  w_640/images/20190124/667a541d90bf48889132793b659491dd.jpeg />Si的1.1eV),增强模式(即常关)晶体管操作;动态导通电阻降低;欧姆接触;顶部热提取或使用风扇或液体流动的主动冷却等。但Ga2O3还是存在一个重要的直接缺点:它的导热率很低(10-30 W/m-K,可为主流电子产品提供高质量的基板。

  图1:显示了对功率半导体器件重要的关键材料(Si, SiC, GaN, Ga2O3)特性。

  Ga2O3存在的另一个缺点就是缺乏p型掺杂机制。从理论上看,这可能会是一个影响其应用的根本问题。有文章曾指出:“由Ga2O3能带结构的第一性原理计算可以预期,由于它的低迁移率而在Ga2O3中发生空穴自陷,这会降低有效的p型导电性。理论表明,所有的受体掺杂剂都会产生深的受主能级,而不能产生p型导电性。”目前仅在高温下才有任何p型电导率的报道,这可能与天然的Ga空位缺陷有关。